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  • 东芝发布显示器用氧化物半导体TFT
  • 作者:韩瑞涓 发布人:家电中国资讯网 出处:中国家电网 时间:2010-12-03 浏览:0
  •  东芝2010年12月1日宣布,开发成功了用于显示器、具有“全球最高水平的可靠性”的氧化物半导体TFT。
  •        东芝2010年12月1日宣布,开发成功了用于显示器、具有“全球最高水平的可靠性”的氧化物半导体TFT。TFT可靠性试验之一的BTS(Bias Temperature Stress)试验前后的阈值电压变化量控制在了50mV以内。另外,BTS试验是在温度为+70℃、栅电压为±20V的状态下,连续驱动2000s的试验。

      此次东芝开发的氧化物半导体TFT,其中的通道材料采用了非结晶IGZO(In-Ga-Zn-O)。IGZO TFT比现有大型液晶面板的驱动元件所采用的非晶硅TFT的载流子迁移率约高10倍,不过阈值电压的变化此前却一直是个问题。

      东芝发现IGZO TFT的可靠性与通道材料内部氢的状态有关。在优化IGZO TFT的成膜条件以及成膜后热处理(淬火)温度的同时,通过控制绝缘膜中的氢的浓度,在玻璃基板上以320℃的温度形成了IGZO TFT。此次制成的IGZO TFT的载流子迁移率为13.5cm2/Vs。

      另外东芝还试制了采用此次IGZO TFT的3英寸有机EL面板。在基板上形成了栅极驱动电路。

      今后,东芝将推进氧化物半导体TFT形成工艺的低温化以及进一步确保其可靠性。以便实现基板材料从现在的玻璃材料变为树脂材料,实现薄型、轻质的“平板显示器”的目标。

      另外,东芝将在2010年12月1~3日于福冈市举行的显示器相关国际学会“IDW 2010(International Display Workshops)”上发布此次的成果(演讲序号:AMD9-2)。

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